Pengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-Si:H Ismail, Eddy Yahya

Abstract

Lapisan a-Si:H dideposisikan dalam substrat corning gelas eagle XG di PECVD dengan parameter deposisi: temperatur substrat 270⁰ C, tekanan 530 mTorr, laju aliran silan SiH₄ 20 sccm, aliran hidrogen 70 sccm dalam waktu 30 menit, diperoleh ketebalan lapisan sekitar 437,2 nm. Kontak belakang Al, Ag, Al/Ag dideposit dalam evaporator MVSystem dengan tekanan vakum 5,0.10^-6 torr, sekitar (5 - 10) detik. Plot grafik menggunakan pengukuran data transmisi dari sampel dengan monokromator pada panjang gelombang 400-750 nm pada kisaran 10 nm dalam temperatur kamar 28,5⁰ C. Sampel diukur dengan mengkondisikan sudut datang dan sudut bias mendekati normal (0i = 0r = 0). Peningkatan faktor optis m a-Si:H/Al=1,563 - 1,635, m a-Si:H/Ag = 1,584 - 1,616, dan m a-Si:H/Al/Ag = 2,932 - 3,016. Pengaruh kontak belakang f(RB) a-Si:H/Al = 1,1531 - 1,1581, f(RB) a-Si:H/Ag = 1,1552 - 1,1603, f(RB) a-Si:H/Al/Ag = 1,1573 - 1,1625. Pengumpulan muatan model optis QE a-Si:H/Al = 0,8361 - 0,8723, QE a-Si:H/Ag = 0,8362 - 0,8739, QE a-Si:H/Al/Ag = 0,8387 - 0,8755.