Studi Karakteristik I-V Sel Surya p-i-n Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-Si:H) Suprianto, Eddy Yahya, Darminto

Abstract

Telah dideposisi lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi dengan tehnik Plasma Enhanced Chemical Vapor deposition (PECVD) dengan daya RF sebesar 5 watt. Selanjutnya lapisan a-Si:H yang terbentuk diaplikasikan sebagai lapisan-i divais sel surya p-i-n. Hasil pengukuran karakteristik I-V dibawah penyinaran 24,7 mW/cm2 pada luas 1 cm2 menunjukkan nilai VOC dan ISC masing-masing 0,568 volt dan 2,71 mA/cm2. Sedangkan pada luas 0,25 cm2 diperoleh nilai VOC dan ISC masing-masing 0,449 volt dan 6,58 mA/cm2 dengan effisiensi 5,31%.