Optimasi Sifat-Sifat Fisis Lapisan Tipis a-SiGe:H dengan Metoda HW-Cell-PECVD D. Adisaputra, Satwiko Sidopekso, T. Winata

Abstract

Metode Hot Wire Cell PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) telah berhasil dikembangkan untuk menumbuhkan lapisan tipis amorf silikon germanium terhidrogenasi (a-SiGe:H). Lapisan tipis a-SiGe:H ditumbuhkan di atas gelas corning 7059 pada temperatur filamen 800⁰ C. Campuran gas silan (SiH4) 10 % dalam gas hidrogen (H2) dan german (GeH4) 10 % dalam gas hidrogen (H2) digunakan sebagai sumber gas. Dalam metode hot wire cell PECVD, gas reaktan didekomposisi dengan filamen tungsten panas yang diletakkan diluar kedua elektroda dan paralel dengan sistem gas masukan. Dan ditumbuhkan juga dengan metoda PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)sebagai pembanding. Dari hasil karakterisasi diperoleh bahwa laju deposisi meningkat dari 0,31 A/s sampai 1,31 A/s dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 200 sampai 500 mTorr. Celah pita optik meningkat dari 1,42 eV sampai 1,65 eV dengan meningkatnya meningkatnya tekanan deposisi dari 200 sampai 500 mTorr. Dengan sensitivitas penyinaran pada orde 10⁵ , lebih baik dari metoda PECVD yang memiliki nilai maksimal 1.33x10⁴.